Кінзерська, О. В.Махній, В. П.Погребенник, В. Д.Пашук, А. В.2014-03-202014-03-202013Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивостішарів ZnSe:Mn / О. В. Кінзерська, В. П. Махній, В. Д. Погребенник, А. В. Пашук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 95–97. – Бібліографія: 9 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24003Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності і практично повного гасіння крайової смуги. The effect of annealing in saturated pair of Zn and Se on electrical and luminescent properties of diffusion layers ZnSe doped by Mn is studed. It is shown that Zn excess causes an increasing in electronic conductivity and intensity of edge emission band but Se excess leads to the inversion of the conductivity type and almost complete extinction of the edge band.uaселенід цинкудифузіяперехідний металпровідністьлюмінесценціяzinc selenidediffusiontransition metalconductivityluminescenceArticle