Ivashchenko, І. А.Halyan, V. V.Danylyuk, І. V.Pankevuch, V. Z.Davydyuk, G. Ye.Olekseyuk, І. D.2012-10-102012-10-102012Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals / І. А. Ivashchenko, V. V. Halyan, І. V. Danylyuk, V. Z. Pankevuch, G. Ye. Davydyuk, І. D. Olekseyuk // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 33–34. – Bibliography: 2 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15153The phase diagram of the Ga2Se3–In2Se3 system as investigated by differential-thermal analysis (DTA) and X-ray diffraction (XRD) method. The single crystals from the area of existence of the γ2 phase with the compositions (Ga0.6In0.4)2Se3 and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 were grown by a vertical Bridgman method. Absorption spectra of the grown crystals were studied. The estimated optical band gap is 1.95±0.01 eV. The resistance of the single crystals of (Ga0.6In0.4)2Se3 (R = 500 M ) and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 (R = 210 M ) was measured.enphase diagramsingle crystalband gapabsorption spectrasemiconductorresistanceArticle