Большакова, І. А.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Штабалюк, А. П.Шуригін, Ф. М.2012-11-292012-11-292012Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалів / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, А. П. Штабалюк, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 28–33. – Бібліографія: 18 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16051Проаналізовані методи контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів з використанням опромінення високоенергетичними частинками. Визначено, що для контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів групи ІІІ-V, зокрема, InSb, перспективним є використання методу радіаційної модифікації. Наведені результати дослідження впливу радіаційної модифікації на стабілізацію параметрів сенсорів магнітного поля на основі гетероструктур InSb/i-GaAs. Methods applied to alter the parameters of semiconductor materials in controlled fashion using high-energy particle irradiation have been analysed. It has been determined that radiation modification is a method promising for the controlled parameter alteration of III-V group semiconductor materials, notably InSb. Results of the study into the effect exerted by radiation modification on the parameter stabilization observed in InSb/i-GaAs heterostructure-based magnetic field sensors are presented.uaрадіаційна модифікаціяядерне легуванняантимонід індіюрадіаційні дефектисенсори магнітного поляradiation modificationnuclear dopingindium antimonideradiation defectsmagnetic field sensorsArticle