Стецко, Р. М.2012-11-292012-11-292012Стецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16056Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.uaпара-рідина-кристалтвердий розчинмікрокристалиарсенід індіюарсенід галіюvapor-liquid-solidsolid solutionmicrocrystalsindium arsenidegallium arsenideArticle