Дружинін, А.Островський, І.Ховерко, Ю.Лях-Кагуй, Н.Druzhinin, A.Ostrovskii, I.Hoverko, Yu.Liakh-Kaguy, N.2023-08-172023-08-172022-03-012022-03-01Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці / А. Дружинін, І. Островський, Ю. Ховерко, Н. Лях-Кагуй // Інфокомунікаційні технології та електронна інженерія. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2022. — Том 2. — № 1. — С. 110–119.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/59669Досліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si <B, Ni> визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.The paper is devoted to study of the charge carrier transfer characteristics in the silicon microcrystals doped by boron to concentrations corresponding to the metal-dielectric transition, as well as modified by a transition metal admixture with an unfilled 3d+ shell of the local magnetic moment. The magnetoresistance of microcrystals under the magnetic field action to 14 T at the cryogenic temperatures was studied. A detailed analysis of the results of studies of magneto-transport properties of crystals was carried out. It was found that the low-temperature transport of charge carriers for silicon microcrystals is based on hopping polarization conduction. Based on the results of the magnetization study of Si <B, Ni> crystals, the concentration of magnetic centers was determined, which is 4×1017 cm–3. The use of silicon microcrystals in magnetic field sensors with the magnetoresistive principle of operation is proposed110-119ukкремніймікрокристалкріогенні температуринікельполяризаційна стрибкова провідністьнамагніченістьмагнітоопірsiliconmicrocrystalcryogenic temperaturesnickelpolarization hopping conductivitymagnetizationmagnetoresistanceВикористання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніціUsing of microcrystals of silicon doped with boron and nickel in sensor techniquesArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 202210doi.org/10.23939/ictee2022.01.110621.315.592Using of microcrystals of silicon doped with boron and nickel in sensor techniques / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Hoverko, N. Liakh-Kaguy // Infocommunication Technologies and Electronic Engineering. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2022. — Vol 2. — No 1. — P. 110–119.