Курило, І. В.Лопатинський, І. Є.Рудий, І. О.Фружинський, М. С.Вірт, І. С.Шкумбатюк, Т. П.2010-02-192010-02-192009Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3 / І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, І. О. Рудий, М. С. Фружинський, І. С. Вірт, Т. П. Шкумбатюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 17–23. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2529Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5. Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.uaімпульсне лазерне осадженняпитомий опір плівокpulsed laser depositionеlectrical resistivity was measured iТонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3Thin-film thermoelectric modules on the basis narrow gap semiconductors V2VI3Article