Suchikova, YanaKovachov, SergiiLazarenko, AndriyLopatina, HannaTsybuliak, NataliaHurenko, OlhaBohdanov, Ihor2024-02-122024-02-122023-03-162023-03-16Surface Modification of Gallium Arsenide by Electrochemical Methods in Different Electrolyte Compositions / Yana Suchikova, Sergii Kovachov, Andriy Lazarenko, Hanna Lopatina, Natalia Tsybuliak, Olha Hurenko, Ihor Bohdanov // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2023. — Vol 17. — No 2. — P. 262–271.1996-4196https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/61254Висвітлено дослідження модифікації поверхні n-GaAs методом електрохімічного травлення в різних композиціях електролітів. Досліджено можливість формування різних типів мікроморфології на ідентичних зразках GaAs, зокрема формування кристалографічних, дефектно-дислокаційних та ізотопних інтерфейсів.We present the study of the n-GaAs surface modification by the electrochemical etching in different electrolyte compositions. The possibility of forming the different micromorphology types on the identical GaAs samples, in particular the possibility of forming the crystallographic, defective-dislocation, and isotope interfaces, was investigated.262-271enмікроморфологіяелектрохімічне травленняелектрохімічна реакціяелектролітнапруга анодуванняmicromorphologyelectrochemical etchingelectrochemical reactionelectrolyteanodizing voltageSurface Modification of Gallium Arsenide by Electrochemical Methods in Different Electrolyte CompositionsМодифікація поверхні арсеніду галію електрохімічними методами в різних композиціях електролітівArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2023© Suchikova Y., Kovachov S., Lazarenko A., Lopatina H., Tsybuliak N., Нurenko O., Bohdanov I., 202310doi.org/10.23939/chcht17.02.262Surface Modification of Gallium Arsenide by Electrochemical Methods in Different Electrolyte Compositions / Yana Suchikova, Sergii Kovachov, Andriy Lazarenko, Hanna Lopatina, Natalia Tsybuliak, Olha Hurenko, Ihor Bohdanov // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2023. — Vol 17. — No 2. — P. 262–271.