Невзоров, В. В.Смеркло, Л. М.2015-11-162015-11-162003Невзоров В. В. Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 471 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 84–87. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30135Розглянуто вплив форми комірок та їх розташування на опір потужного ДМОН транзистора у відкритому стані. Показано, що трикутні комірки мають перевагу над комірками квадратної та гексагональної форми. Considered the influence of cell’s form and their disposition on resistance of powerful MOS transistor in open state. It is shown, that three-cornered cells get advantage in compare of square and hexagonal forms.uaArticle