Большакова, І. А.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Шуригін, Ф. М.2010-06-092010-06-092007Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 592 : Електроніка. – С. 3–7. – Бібліографія: 9 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/4347Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.uaтехнології вирощуваннямікрокристали твердого розчинугазова фазагазотранспортні реакціїArticle