Власов, А. П.Бончик, О. Ю.Кияк, С. Г.Савицький, Г. В.Сімків, Б. О.Заплітний, Р. А.2017-03-152017-03-152006Особливості парофазного та твердофазного легування шарів CdHgTe під час епітаксії / А. П. Власов, О. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, Г. В. Савицький, Б. О. Сімків, Р. А. Заплітний // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 47–52. – Бібліографія: 11 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36604Проаналізовано ефективність легування вузькощілинних епітаксійних шарів CdHgTe акцепторною домішкою під час ізотермічної епітаксії в замкненому об’ємі методом ВКД (випаровування-конденсація-дифузія) при використанні парового та твердофазного джерел арсена. Ефективність легування оцінювали порівнянням результатів мас-спектрометрії вторинних іонів і гальваномагнітних досліджень. Для контролю структурної досконалості одержаних експериментальних зразків застосовано неруйнівний рентгеноструктурний аналіз. Показано, що контрольованість легування арсеном під час епітаксійного нарощування cdhgte досягається при використанні твердофазного джерела домішки. The analysis of doping efficiency of narrow gap CdHgTe epitaxial layers by acceptor dopant in the process of isothermal growth in closed volume by the ECD (evaporationcondensation- diffusion) method using vapour and solid state sources of arsenic is performed. Doping efficiency was estimated by comparison of SIMS and galvanomagnetic investigations’ results. Structural perfection of the obtained experimental samples was controlled by means of non-destructive X-ray diffraction analysis. It is shown that precise control over the process of arsenic doping during epitaxial growth of CdHgTe can be achieved when using solid state source of impurity.uaArticle