Roshchina, N. M.Smertenko, P. S.Stepanov, V. G.Zavyalova, L. V.Lytvyn, O. S.2012-10-102012-10-102012Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method / N. M. Roshchina, P. S. Smertenko, V. G. Stepanov, L. V. Zavyalova, O. S. Lytvyn // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 59–60. – Bibliography: 6 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15149This paper reports on the ZnO film structures obtained by MOCVD method on Si substrates. The phase composition, structure and morphology of ZnO films as well as electrophysical properties of ZnO/Si heterojunction on their base were investigated. The possible charge flow mechanisms in ZnO/Si heterojunction are discussed.enZnO/Si heterojunctionmetaloorganic chemical vapour depositioncurrent–voltage characteristicsArticle