Данилов, А. Б.Кособуцький, П. С.Прокопчук, О. Л.2011-05-272011-05-272000Данилов А. Б. Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону / А. Б. Данилов, П. С. Кособуцький, О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 44–49. – Бібліографія: 13 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9182Досліджено зміну оптичних сталих та товщин модифікованих шарів на поверхнях кристалів GaAs та CdTe, опромінених потужним ІЧ-лазером. Проведено аналіз поверхневої плівки з метою підбору адекватної моделі для розв’язання прямої та оберненої задач еліпсометрії. Отримано мікрофотографії поверхонь опромінених кристалів, та знято спектри ІЧ-пропускання. В результаті розв’язання оберненої задачі визначено величини показників заломлення поверхневих плівок та їх товщини в радіальному напрямі від центра лазерної плями. In the present paper the study of changes in the values of optical constants and thicknesses of modificated layers at GaAs and CdTe crystal surfaces, irradiated by powerful IR-laser was carried out. The analysis of surface films with the aim of suitable model selection to solve the direct and inverse problems of ellipsometry was performed. Microphotos of irradiated crystal surfaces were received and IR-spectra measured. As a result of inverse problem solution the values of surface film refraction indices as well as film thicknesses in radial direction from the center of laser spot were determined.uaArticle