Мартинюк, Н. В.Бурий, О. А.Убізський, С. Б.Сиворотка, І. І.2014-03-202014-03-202013Процеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалів / Н. В. Мартинюк, О. А. Бурий, С. Б. Убізський, І. І. Сиворотка // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 119–128. – Бібліографія: 23 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24021У роботі подано результати вивчення процесів перезарядження йонів Yb3+ ↔ Yb2+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під впливом високотемпературних відпалів. Експериментально одержано кінетики окиснення та відновлення, встановлено якісні відмінності у перебігу процесів окиснення Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках та об'ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зроблено аналіз причин цих відмінностей. Виявлено істотний вплив структури приповерхневого шару зразка нашвидкість процесу окиснення. In this communication we report the results of our study of the Yb3+ ↔ Yb2+ recharge processes in Yb:Y3Al5O12 epitaxial films under high temperature annealing. Oxidation and reduction kinetics have been experimentally obtained. It was revealed that recharge process Yb2+ ® Yb3+ differs in films from that in bulk crystals, and reasons of such distinction have been analyzed. Influence of sample surface structure on the rate of oxidation process was found to be significant.uaітербійітрій-алюмінієвий гранат (ІАГ)зміна зарядового стану йонівкінетика окисленняytterbiumyttrium-aluminum garnet (YAG)recharging of ionsoxidation kineticПроцеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалівRecharging processes of Yb2+ ® Yb3+ IONS in Yb:Y3Al5O12 EPITAXIAL FILMS under high temperature annealingArticle