Шаповал, П. Й.Гумінілович, Р. Р.Ятчишин, Й. Й.Кусьнеж, В. В.Ільчук, Г. А.2013-11-112013-11-112013Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE / П. Й. Шаповал, Р. Р. Гумінілович, Й. Й. Ятчишин, В. В. Кусьнеж, Г. А. Ільчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2013. – № 761 : Хімія, технологія речовин та їх застосування. – С. 40–44. – Бібліографія: 16 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/21810Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та+ фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe. This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated.uaтонкі плівки CdSхімічне поверхневе осадженнятонкоплівкові гетеропереходиCdS thin filmschemical surface depositionheterojunctionArticle