Савчук, В.2010-06-032010-06-032007Савчук В. Вплив технологічних параметрів осадження на кристалічну структуру тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення / В. Савчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 592 : Електроніка. – С. 37–41. – Бібліографія: 17 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3928Досліджено вплив параметрів осадження в вакуумній камері (температура підкладки, тип підкладки) на формування кристалічної структури тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення. На основі аналізу результатів рентгено-дифракційних та електронно-мікроскопічних досліджень плівок CdTe, вирощених при різних параметрах осадження, встановлено, що основним фактором, який визначає кристалічний стан плівок, є температура підкладки. Effect of technological condensation parameters into vacuum chamber, such as substrate temperature and substrate type on crystalline structure of CdTe thin films grown by Pulsed Laser Deposition were studied. Examinations of CdTe thin films grown at various condensation parameters by X-ray diffraction and electron-diffraction methods were carried out. As a result, it was established that the substrate temperature is main parameter, which determines a crystallinity of grown films.uaтехнологічні параметри осадженнякристалічна структуратонкі плівкиметод імпульсного лазерного напиленняArticle