Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) - Малик, О.; Malyk, O. (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005)
Розглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .

Models of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, ionized and neutral impurities in CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) are considered. The temperature dependences of electron mobility in temperature range 4.2 - 300 K are calculated.
The local electron interaction with short-range potential in CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)
Keywords: напівпровідники; явища переносу; semiconductors; transport phenomena; 621.315.592