Воронін, В. О.Губа, С. К.Литвін, М. О.Рибачук, В. Г.2017-08-022017-08-022001Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвін, В. Г. Рибачук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 3–9. – Бібліографія: 10 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38593Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated.uaArticle