Собчук, І. С.Сиротюк, С. В.Sobchuk, I. S.Syrotyuk, S. V.2020-03-202020-03-202005-03-012005-03-01Собчук І. С. Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій / І. С. Собчук, С. В. Сиротюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 126–129.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47506Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова. Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.The new efficient approach to the integration over Brillouin zone by means of an energy band spectrum approximation with Chebyshev polynomials. The suggested method has been applied to evaluation of the electronic density of states in silicon. The comparison to experimental results show the efficiency of this approach.126-129ukРозрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функційCalculation of density of states in silicon a method of pseudo green’s functionArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005© Собчук І. С., Сиротюк С. В., 20054537.311.322Sobchuk I. S. Calculation of density of states in silicon a method of pseudo green’s function / I. S. Sobchuk, S. V. Syrotyuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 126–129.