Гоц, НаталіяКривенчук, Юрій2014-03-272014-03-272011Гоц Н. Контроль температури в установках реактивного іонно-плазмового напилення з використанням термометра випромінення / Наталія Гоц, Юрій Кривенчук // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідомчий науково-технічний збірник / відповідальний редактор Б. І. Стадник. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – Випуск 72. – C. 45–50. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24135Процес виготовлення елементів мікроелектроніки на основі процесу іонно-плазмового напилення потребує неперервного контролю температури кремнієвої підкладки. Запропоновано використовувати для цього термометр випромінення. Розглянуто особливості вимірювання температури підкладки термометром випромінення у процесі іонно-плазмового напилення. Процесс создания элементов микроэлектроники на основе процесса ионно-плазменного напыления требует непрерывного контроля температуры кремниевой подкладки. Предложено использовать для этого термометра излучения. Рассмотрены особенности измерения температуры подкладки терметром излучения в процессе ионно-плазменного напыления. The process of creation of elements of microelectronics on the base of process of ion – plasma spraying process needs continuous control of lining temperature. In the article the use is offered for this thermometer of radiation. The features of measuring of temperature of lining of radiation thermometer are considered in the process of spraying process.uaArticle