Курило, l. B.Рудий, І. 0.Лопатинський, І. Є.Фружинський, М. С.Вірт, І. С.Власенко, З. К.2017-02-082017-02-082004Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe / l. B. Курило, І. 0. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, І. С. Вірт, З. К. Власенко // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 20–29. – Бібліографія: 18 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35767Методами електронографії, растрової та трансмісійної електронної мікроскопії, електронної Оже-спектроскопії, мікромеханічних досліджень та селективного хімічного травлення досліджували початкові стадії росту та формування перехідних шарів гетероструктур на основі CdHgTe, вирощених ізотермічною парофазною епітаксією та імпульсним лазерним осадженням. By electron diffraction, scanning and transmission electron microscopy, Auger-electron apectroscopy, micromechanical investigation and preferencial etching the initial stages of growth and the formation of the transition layers in heterostructures CdHgTe were investigated. The heterostructures were grown by isothermal vapor phase epitaxy and pulsed laser deposition.uaArticle