Войцеховський, А. В.Вірт, І. С.Коханенко, А. П.Курило, І. В.Рудий, І. О.Лопатинський, І. Є.Фружинський, М. С.2015-12-232015-12-232003Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs), отримані МПЕ: структура, напруження, фізичні властивості / І. С. Вірт, А. В. Войцеховський, А. П. Коханенко, І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 3–12. – Бібліографія: 21 назва.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30915Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.uaArticle