Krajewski, T. A.Smertenko, P. S.Luka, G.Wachnicki, L.Cherevko, A.Olkhovik, G.Zakrzewski, A. J.Godlewski, M.Guziewicz, E.2012-10-102012-10-102012Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures / T. A. Krajewski, P. S. Smertenko, G. Luka, L. Wachnicki, A. Cherevko, G. Olkhovik, A. J. Zakrzewski, M. Godlewski, E. Guziewicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 35–36. – Bibliography: 8 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15154This paper reports on the Ag/HfO2/ZnO/TiAu Schottky structures, in which the semiconducting ZnO and HfO2 layers are obtained using the low temperature Atomic Layer Deposition (ALD) method. Basing on the thermionic emission, differential and injection approaches an optimal thickness of HfO2 capping layer for the ZnO-based diode was found to be about 2.5 nm.enZnO-based Schottky diodecurrent–voltage characteristicsdifferential approachatomic layer deposition (ALD)Article