Тампль-Буайє, П'єрГотра, З. Ю.Голяка, Р. Л.Гуменюк, І. А.2017-02-082017-02-082004Тампль-Буайє П'єр Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики / П'єр Тампль-Буайє, З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 81–88. – Бібліографія: 12 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35776Розроблено та експериментально досліджено характеристики іонно-селективних польових транзисторів (1СПТ) з індукованим n-каналом. Функцію підзатворного діелектрика, чутливого до іонів водню, виконує мембрана з оксиду та нітриду кремнію Si02/Si3N4. Для забезпечення селективності до іонів нітрату N03' та амонію NH4+ використано чутливу мембрану на основі роїуНЕМА/сілопрен. Дано рекомендації щодо режимів живлення 1СПТ. Виготовлення та експериментальні дослідження проведені в Лабораторії Аналізу та Архітектур Систем, Тулуза, Франція. Front-side connected, N-channel, normally-off, ion-sensitive field effect transistor (1SFET) microsensors including a SiOi/SijNj pH-sensitive gate have been fabricated using a standard P-well silicon technology. Sensor properties and performances are demonstrated through pH measurements. Finally, the front-side connected ChemFETs microsensors have been adapted to the detection of ions thanks to polyHEMA/siloprene-based ionosensitive membrane. Operating modes of 1SFET sensor have been optimized. Fabrication and characterization of these ion-sensitive structures have been carried out at the Laboratory for Analysis and Architecture of Systems (LAAS, Toulouse, France).uaArticle