Бурий, О. А.Убізський, С. Б.Мельник, С. С.Матковський, А. О.2013-04-192013-04-192004Моделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерах / О. А. Бурий, С. Б. Убізський, С. С. Мельник, А. О. Матковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2004. – № 514 : Електроніка. – С. 60-71. - Бібліографія: 12 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/18404Розглядаються монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та ітербієм (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогоюепітаксійно нарощеного шару Cr+:YAG. Визначаються оптимальні з точки зору досягнення максимальної енергії в лазерному імпульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала. Обгрунтовується можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні в якості генеруючого середовища кристалу Yb:YAG у порівнянні із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.uaмікрочіповий лазерпасивна модуляція добротностііттрій-алюмінієвий гранатmicrochip laserQ-switchingyttrium-aluminum garnetArticle