Цмоць, В. М.Литовченко, П. Г.Литовченко, О. П.Новиков, М. М.Павловський, Ю. В.Салань, В. П.Пацай, Б. Д.Tsmots, V. M.Litovchenko, P. G.Litovchenko, O. P.Novikov, N. N.Pavlovskii, Yu. V.Salan, V. P.Patsai, B. D.2020-03-202020-03-202005-03-012005-03-01Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, М. М. Новиков, Ю. В. Павловський, В. П. Салань, Б. Д. Пацай // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 147–152.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47510Вивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.The nature of paramagnetic centers formed in Cz-Si mono-crystals after their hightemperature treatment in the range of 650–1100 0C and repeated temperature treatment at 1150 0C are studied. On the basis of magnetic susceptibility (MS) measurements, the regions of increasing and decreasing of paramagnetic center concentration are established. The amount of impurity-structural complexes in these crystals is investigated by the method of threecrystal diffractometry. The radii and concentration of clusters and dislocation loops are determined. It is found that obtained MS changes are connected with the generation of oxygen-related clusters and dislocation loops.147-152ukВплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-SiInfluence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-SiArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005© Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Новиков М. М., Ю. В. Павловський, Салань В. П., Пацай Б. Д., 20056535.37537.311.33Influence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si / V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, O. P. Litovchenko, N. N. Novikov, Yu. V. Pavlovskii, V. P. Salan, B. D. Patsai // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 147–152.