Мицик, Б. Г.Кость, Я. П.Дем’янишин, Н. М.2012-12-032012-12-032012Мицик Б. Г. Фотопружність кристалів фосфіду галію / Б. Г. Мицик, Я. П. Кость, Н. М. Дем’янишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 98–103. – Бібліографія: 17 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16060Для кристалів фосфіду галію (GaP) на основі п’єзооптичних коефіцієнтів πim розраховані пружнооптичні коефіцієнти рin і коефіцієнт акустооптичної якості М2. Значення М2 кристалів фосфіду галію більш ніж на порядок перевищує М2 модельного акустооптичного матеріалу ніобату літію. Отримано співвідношення для вказівних поверхонь пружнооптичного ефекту, на основі яких побудовано відповідні поверхні і знайдено кутові координати їх екстремумів.Максимальна величина M2, визначена на основі максимуму пружнооптичної поверхні, переважає коефіцієнт M2 для найбільшого значення пружноптичного коефіцієнта (0,23) на 70%. For gallium phosphide (GaP) crystals the elasto-optic coefficients рin and the acousto-optic figure of merit М2 were calculated based on the piezo-optic coefficients πim. Value of М2 for gallium phosphide crystals is more than an order of magnitude higher than М2 for the model acousto-optic material of lithium niobate. The relation for the indicative surfaces of elasto-optic effect were obtained based on which corresponding surface were built and angular coordinates of extrema were found as well. The maximum value of M2 that defined based on the maximum elasto-optic surface were dominated coefficient M2 for the largest value of the elasto-optic coefficient (0.23) by 70%.uaпружнооптичні коефіцієнтикоефіцієнт акустооптичної якостівказівна поверхнятемпературна стабільністьфосфід галіюelasto-optic coefficientsacousto-optic figure of meritindicative surfacetemperature stabilitygallium phosphideФотопружність кристалів фосфіду галіюConductance and magnetoresistace of si whiskersArticle