Малик, О. Л.Кеньо, Г. В.2019-08-212019-08-212002-03-262002-03-26Малик О. Л. Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe / О. Л. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 28–37.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45267Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2 - 300 К the main electron scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic electron interaction with optical vibrations of the crystal! lattice.28-37ukArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002© Малик О. П., Кеньо Г. В., 200210621.315.592Malik O. L. Nepruzhna elektron-fononna vzaiemodiia v HgTe / O. L. Malik, H. V. Keno // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 28–37.