Бончик, О. Ю.Загіней, А. О.Кияк, С. Г.Паливода, І. П.Похмурська, Г. В.2011-05-302011-05-302000Нестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників / О. Ю. Бончик, А. О. Загіней, С. Г. Кияк, І. П. Паливода, Г. В. Похмурська // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 28–33. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9372Описано механізми формування нестійкостей плоского фронту кристалізації, які виникають при лазерній епітаксійній кристалізації напівпровідникових шарів. Запропоновано чотири основні механізми, що зумовлюють виникнення таких нестійкостей, які, в свою чергу, призводять до формування на поверхні напівпровідників комірчастої структури різної природи. Mechanisms of a planar interface instability initiation during laser epitaxy solidification of semiconductor layers are described in present paper. The main four mechanisms that determine such interface instability initiation have been proposed. These mechanisms set conditions for cellular structure of different nature formation on the semiconductor surface.uaArticle