Стахіра, П. Й.Черпак, В. В.Фоменко, В. Л.2020-03-122020-03-122005-03-012005-03-01Стахіра П. Й. Кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем / П. Й. Стахіра, В. В. Черпак, В. Л. Фоменко // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 8–13.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47355Вивчено механізми виникнення фотоелектретного ефекту в інтеркальованим нікелем GaSe. Визначено, що для цього об’єкта дослідження наявність фотоелектретного ефекту можна пояснити, припускаючи, що інтеркальованим нікелем GaSe збудженні світлом нерівноважні електрони і дірки знаходитимуться в асиметричній потенціальній ямі.The mechanism of photoelectretic effect appearance on Ni intercalation GaSe were studied. For such object of investigation of the photoelectretic effect presents can be explained by the estimation that on Ni intercalated GaSe the exited nonequilibrium electrons and holes occurred on asymmetric potential well.8-13ukКінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелемArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005© Стахіра П. Й., Черпак В. В., Фоменко В. Л., 20056541.136.2Stakhira P. Y. Kinetychni ta fotoelektrychni vlastyvosti sharuvatykh napivprovidnykiv, lazerno interkalovanykh nikelem / P. Y. Stakhira, V. V. Cherpak, V. L. Fomenko // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 542 : Elementy teorii ta prylady tverdotiloi elektroniky. — P. 8–13.