Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка” : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. – № 532 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 186 с. : іл.

Зміст

1. Титульний аркуш до Вісника “Електроніка”	1
2. Большакова І. А., Голяка Р. Л., Єрашок В. Е. Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд	3
3. Большакова І. А., Кость Я. Я., Луців Р. В., Макідо О. Ю., Московець Т. А. Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм	15
4. Дутчак З. А., Ракобовчук Л. М. Особливості переходу аморфного селену в кристалічний стан	21
5. Заячук Д. М., Круковський С. І., Мрихін І. О. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії	24
6. Ковалюк Б. П., Нікіфоров Ю. М. Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі	28
7. Лопатинський І. Є., Рудий І. О., Курило І. В., Вірт І. С., Фружинський М. С., Кемпник В. І. Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу	33
8. Шандра З. А. Вплив розподілу струму розряду по катоду комірки Пеннінга на рівномірність напилених плівок	42
9. Дружинін А. О., Матвієнко С. М., Панков Ю. М. Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур	48
10. Єрохов В. Ю. Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії	54
11. Ільчук Г. А., Кусьнеж В. В., Українець В. О., Охремчук Є. В., Кунтий О. І., Українець Н. А. Гетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію	60
12. Лопатинський І. Є., Павлова Г. О., Ракобовчук Л. М., Яворський Б. М. Відліковий пристрій на рідких кристалах	65
13. Микитюк З. М., Фечан А. В., Гураль В. В., Волинюк Д. Ю. Просторово-часовий модулятор світла на ефекті холестерико-нематичного переходу	68
14. Савицький Д. І., Сугак Д. Ю., Сольський І. М., Бурий О. А., Іжнін О. І., Василечко Л. О., Жеграй Р. Т., Кухарук С. В., Шопа Я. І. Двопроменева поляризаційна призма на основі кристала ніобату літію з двійниковою границею	74
15. Глушик І. П., Стахіра П. Й., Аксіментьєва О. І., Микитюк З. М., Фечан А. В., Черпак В. В. Оптичні спектри поліаніліну в середовищах з різним водневим покажчиком	81
16. Хандожко О. Г., Слинько Є. І. Нестійкість металевої підгратки SnTe	85
17. Чорній З. П., Качан С. І., Пірко І. Б., Салапак В. М. Релаксація електрично заряджених центрів забарвлення в кристалах флюоритів. одновимірна модель	90
18. Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Островський І. П., Павловський Ю. В. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge	99
19. Яковина В. С., Жидачевський Я. А., Михайлик В. Б., Сольський І. М., Сугак Д. Ю. Вплив зовнішніх факторів на люмінесцентні властивості вольфрамату кальцію	105
20. Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Павловський І. В., Ховерко Ю. М. Осциляції магнітоопору ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах	112
21. Малик О. П., Кеньо Г. В., Петрович І. В. Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)	117
22. Собчук І. С., Сиротюк С. В. Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій	126
23. Сиротюк С. В., Краєвський С. Н., Кинаш Ю. Є. Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії	129
24. Товстюк К. К. Класифікація подвійних перестановок для електрон-фононної взаємодії	133
25. Тиханський М. В., Крисько Р. Р., Партика А. І. Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах	138
26. Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Новиков М. М., Павловський Ю. В., Салань В. П., Пацай Б. Д. Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si	147
27. Чигінь В. І., Карп’як С. Ю. Модель нерівноважної плазми пульсівної негативної корони	153
28. Данилов А. Б. Щодо можливості визначення оптичних параметрів тонких плівок методом еліпсометрії та оцінка їх кореляції	160
29. Мокрий О. М. Вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла фотоакустичним методом (числове моделювання)	164
30. Петровська Г. А., Демкович І. В., Бобицький Я. В. Фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання дзеркальних покрить	170
31. Фітьо В. М., Петровська Г. А., Мисак В. В. Області застосування наближених методів аналізу дифракції на фазових гратках	178
32. Зміст до Вісника “Електроніка”	184

Content

1. Tytulnyi arkush do Visnyka "Elektronika"	1
2. Bolshakova I. A., Holyaka R. L., Yerashok V. E. Galvanomagnetic instrumentation for nuclear fusion reactors: basic approaches. Survey	3
3. Bolshakova I. A., Kost’ Ya. Ya., Lutsiv R. V., Makido O. Yu., A Moskovets’ T. Growth process peculiarities of InSb microcrystals alloyed by erbium	15
4. Dutchak Z., Rakobovchuk L. The features of transition of amorphous selenium in the crystalline state	21
5. Zayachuk D. M., Krukovsky S. I., Mrykhin I. O. Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method	24
6. Kovalyuk B. P., Nikiforov Yu. N. Control of surface layer imperfectness of silicon structure changing the phonon pressure caused by shock wave propagation in the crystal	28
7. Lopatynskii I. Ye., Rudyi I. O., Kurilo I. V., Virt I. S., Fruginskii M. S., Kempnyk V. I. Surface modification of laser ablated HgCdTe target	33
8. Shandra Z. A. The influence of the cathode current distribution in Penning’s cell on the sputtered films	42
9. Druzhinin A. O., Matviyenko S. M., Pankov Y. M. Development of information processing system for sensors bases on SOI structures	48
10. Yerokhov V. Yu. Macroporous structures in silicon solar energy converter	54
11. Ilchuk G. A., Kusnezh V. V., Ukrainets V. O., Ohremchuk E. V., Kuntyj O. I., Ukrainets N. A. Heterocontact Cds–protein on a basis of electrochemical synthesized cadmium sulfide films	60
12. Lopatinsky I. E., Pavlova G., Rakobovchuk L., Yavorsky B. The counting device on liquid crystals	65
13. Mikityuk Z. M., Fechan A. V., Gural V. V., Volynyuk D. Yu. The spatial-time light modulator on cholesteric-nematic transition effect	68
14. Savytskii D., Sugak D., Solskii I., Buryy O., Izhnin O., Vasylechko L., Zhegraj R., Kuharuk S., Shopa Ya. Two-beam polarization prism based on the lithium niobate crystal with twin boundary	74
15. Glushyk I. P., Stakhira P. Y., Aksimentyeva O. I., Mikityuk Z. M., Fechan A. V., Cherpak V. V. The optical spectra of polyaniline in the environments with different ph index	81
16. Khandozhko O. G., Slynko E. I. Instability of SnTe metal sublattice	85
17. Chornij Z. P., Kachan S. I., Pirko I. B., Salapak V. M. Electrically charged coloring centers relaxation in fluorite – type crystals. one-dimensional model	90
18. Tsmots’ V. M., Litovchenko P. G., Litovchenko O. P., Ostrovskii I. P., Pavlovskii Yu. V. Peculiarities of Si-Ge whisker magnetic susceptibility	99
19. Yakovyna V. S., Zhydachevskii Ya. A., Mikhailik V. B., Solskii I. M., Sugak D. Yu. Influence of external actions on calcium tungstate luminescent properties	105
20. Druzhinin A. A., Maryamova I. I., Pavlovskyy I. V., Khoverko Yu. M. Magnetoresistance oscillation in ge whiskers at cryogenic temperature	112
21. Malyk O. P., Kenyo G. V., Petrovych I. V. Electron scattering on the short-range potential in CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1) solid solution	117
22. Sobchuk I. S., Syrotyuk S. V. Calculation of density of states in silicon a method of pseudo green’s function	126
23. Syrotyuk S. V., Kraevsky S. N., Kynash Yu. E. The criteria of choice of coulomb potential well depth in silicon	129
24. Tovstyuk C. C. Classification of double permutations for electron – phonon interaction	133
25. Tyhanskyi M. V., Krysko R. R., Partyka A. I. Transition characteristics of josefson criotrons at nitrogen temperatures	138
26. Tsmots V. M., Litovchenko P. G., Litovchenko O. P., Novikov N. N., Pavlovskii Yu. V., Salan V. P., Patsai B. D. Influence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si	147
27. Chyhin V. I., Karpyak S. Yu. The model of unequilibrium plasma of the pulsating negative corona	153
28. Danylov A. B. On the possibility of thin film optical parameter determination by ellipsometry method and parameter correlation evaluation	160
29. Mokryy O. M. Thickness measurement thin film of a liquid on solid state surface by photoacoustical method (numerical modelling)	164
30. Petrovska H. A., Demkovytch I. V., Bobytski Y. V. The determination photothermal method of absorption coefficient of mirrors covering	170
31. Fitio V. M., Petrovska H. A., Myssak V. V. Application areas of the approximate methods for analysis of thin and volume phase gratings	178
32. Zmist do Visnyka "Elektronika"	184

	views
May 2024	0
June 2024	0
July 2024	0
August 2024	0
September 2024	0
October 2024	0
November 2024	0

Statistics for Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si

Total visits

Total visits per month