Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №458

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42439

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Національного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща та Словаччини. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 458 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 291 с. : іл.

Browse

Filters

20022

Settings

Start date: 2002Subject: search.filters.subject.model

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Modeling of concentration profiles of charge carriers in inhomogeneous epitaxial layers
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002) Pavlysh, V.; Danchyshyn, I.; Korzh, R.; Dronyuk, M.; Lviv Polytechnic National University
    The new approach to the construction of the microtechnology physical-technological models is proposed in the present work. This approach allows us to analyse the processes of the IC and hybride IC epitaxial, resistive and conductive structures growth and formation of their electrophysical and mechanical parameters. We elaborated the model describing charge carriers concentration profile of inhomogeneous epitaxial structures that were grown under different technological conditions.
  • Thumbnail Image
    Item
    Elements of the silicon TCD design and technology
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Łysko, Jan M.; Nikodem, Marek; Latecki, Bogdan; Górska, Marianna; Studzińska, Krystyna; Institute of Electron Technology, Poland
    Silicon TCD (Thermal Conductivity Detector, katarometer) chip analytical model, elements of the design and technology are presented. Detector was designed for the pTAS (Micro Total Analysis System) application to recognize the composition of the different gas mixtures. TCD consists of the two pieces : glass plate and silicon chip. Two parallel flow channels 15 000 pm long, 400 pm wide and 50 pm deep were etched in the silicon chip and milled in the glass plate. Some of resistors were designed to act as a heaters and the other ones as a thermo resistors. Composition changes of the mixture flowing throughout the channel cause the temperature distribution changes and thermo resistors electrical response. Distance between the heaters and thermo resistors is of the great importance to the TCD sensitivity. VLSI silicon technology was applied to reduce geometrical dimensions and micromechanical technology to over-hange resistors across the flow channels to reduce thermal capacity and heat loses to the bulk and environment.