Легкі дірки в CdxHg1-xTe
No Thumbnail Available
Files
Date
2000
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Державного університету "Львівська політехніка"
Abstract
У роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на
основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.
Description
Keywords
Citation
Іжнін І. І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe / І. І. Іжнін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 121–126. – Бібліографія: 8 назв.