Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
No Thumbnail Available
Date
2013
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
Description
Keywords
арсенід індію, вісмут, структурні дефекти, легуюча домішка, indium arsenide, bismuth, structural defects, dopant
Citation
Ваків М. М. Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 98–101. – Бібліографія: 7 назв.