Способи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд

Simple item page
dc.citation.epage9
dc.citation.issue1
dc.citation.spage1
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.affiliationLviv Polytechnic National University
dc.contributor.authorГумінілович, Р. Р.
dc.contributor.authorШаповал, П. Й.
dc.contributor.authorЯтчишин, Й. Й.
dc.contributor.authorСтаднік, В. Є.
dc.contributor.authorСозанський, М. А.
dc.contributor.authorGuminilovych, R. R.
dc.contributor.authorShapoval, P. Y.
dc.contributor.authorYatchyshyn, Y. Y.
dc.contributor.authorStadnik, V. E.
dc.contributor.authorSozanskyi, M. A.
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-02-28T13:09:23Z
dc.date.available2020-02-28T13:09:23Z
dc.date.created2019-02-28
dc.date.issued2019-02-28
dc.description.abstractРозглянуто основні методи синтезу тонких плівок кадмій сульфіду (CdS) та кадмій селеніду (CdSe). Проаналізовано умови синтезу та властивості тонких плівок CdS та CdSe і фоточутливих гетероструктур на їх основі. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Основну увагу приділено аналізу і порівнянню морфологічних та оптичних властивостей плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду, отриманих фізичними, хімічними та комбінованими методами. Здійснено аргументований вибір оптимального методу хімічного поверхневого осадження для одержання тонких плівок CdS та CdSe, які можна використати як буферні шари у сонячних елементах.
dc.description.abstractThe main methods of cadmium sulfide (CdS) and cadmium selenide (CdSe) thin films synthesis are considered. The synthesis conditions and properties of CdS and CdSe thin films and photosensitive heterostructures based on them are analyzed. The possibilities of chemical methods practical use are studied. The main attention is paid to the analysis and comparison of the morphological and optical properties of cadmium sulfide and cadmium selenide films obtained by physical, chemical and combined methods. A well-reasoned choice of the chemical surface deposition optimal method for obtaining CdS and CdSe thin films, which can be used as a buffer layers in solar cells, was made.
dc.format.extent1-9
dc.format.pages9
dc.identifier.citationСпособи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд / Р. Р. Гумінілович, П. Й. Шаповал, Й. Й. Ятчишин, В. Є. Стаднік, М. А. Созанський // Chemistry, Technology and Application of Substances. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Том 2. — № 1. — С. 1–9.
dc.identifier.citationenMethods of obtaining of CDS and CDSe films and heterostructures on their basis. Review / R. R. Guminilovych, P. Y. Shapoval, Y. Y. Yatchyshyn, V. E. Stadnik, M. A. Sozanskyi // Chemistry, Technology and Application of Substances. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 2. — No 1. — P. 1–9.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/46356
dc.language.isouk
dc.publisherLviv Politechnic Publishing House
dc.relation.ispartofChemistry, Technology and Application of Substances, 1 (2), 2019
dc.relation.references1. Calderón C. (2003). Optical characterization of Cd (Sx, Te1-x) thin films deposited by evaporation. Superficies y Vacio. Vol. 16, No. 3, 30–33.
dc.relation.references2. Беляев А. П., Рубец В. П., & Калинкин И. П. (2003). Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы. Физика и техника полупроводников, Т. 37, Вып. 6, 641–643.
dc.relation.references3. Майссел Л., Глэнг Р. (1977). Технология тонких пленок (справочник) / пер. с англ. под. ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. М. Сов. радио Т.1.
dc.relation.references4. Случинская И. А. (2002). Основы материало- ведения и технологии полупроводников. Москва. Мифи.
dc.relation.references5. Kumar V., Khan K. L. A., & Hussaine M. (2007). ZnSe sintered films: growth and characterization. Applied Surface Science, Vol. 25, No. 3, Issue 7,3543-3546. doi. org/10.1016/j. apsusc.2006.07.066.
dc.relation.references6. Pouzet J., Bernede J. C., & Benhida S. (1992). Preparation and characterization of tungsten diselenide thin films. Thin Solid Films, 208, 252-259. doi. org/10.1016/0040-6090(92)90652-R.
dc.relation.references7. Mitzithra C., Hamilakis S., & Loizos Z. (2012). CdSe semiconducting layers produced by pulse electrolysis. Физика и техника полупроводников, Vol. 46 (5), 633–636. doi: 10.1134/S1063782612050168.
dc.relation.references8. Sasikala G., Thilakan P., Subramanian C. (2000). Modification in the chemical bath deposition apparatus, growth and characterization of CdS semiconducting thin films for photovoltaic applications. Solar Energy Materials & Solar Cells, 62, 275–293. doi. org/10.1016/S0927-0248(99)00170-1.
dc.relation.references9. Ravichandran K., Philominathan P. (2008). Investigations on microstructural and optical properties of CdS films fabricated by a low-cost, simplified spray technique using perfume atomizer for solar cell applications. Solar Energy, Vol. 82, 1062–1066. doi. org/10.1016/j. solener.2008.04.012.
dc.relation.references10. Catalano A. (1996). Polycrystalline thin-film technologies: Status and prospects. Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.41-42, 205-217. doi. org/10.1016/0927-0248(95)00144-1.
dc.relation.references11. Oladeji I. О., Chow L. (1997). Optimization of chemical bath deposited cadmium sulfide thin films. J. Electrochem. Soc, Vol. 144, No. 7, 2342–2346. doi. org/10.1016/j. matlet.2017.05.117.
dc.relation.references12. Ugai Ya. A., Semenov V. N., & Shamsheeva Y. L. (1988). Reactions between cadmium salts and thiourea in the preparation of cadmium sulfide films. Zh. Prikl. Khim. (Leningrad), no. 11, 2409–2414.
dc.relation.references13. Палатник Л. С. (1978). Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия.
dc.relation.references14. Лякишев Н. П. (1996). Диаграммы состояния двойных металлических систем: справочник: в 3 т. Т. 1 / под общ. ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение.
dc.relation.references15. Susa K., Kobayashi T., Taniguchi S. (1980) High-pressure synthesis of rock-salt type Cd–S using metal sulfide additives. Journal of Solid State Chemistry, vol. 33(2), 197–202. doi. org/10.1016/0022-4596(80)90120-6.
dc.relation.references16. Ohata K., Saraie J., Tanaka T. (1973). Phase diagram of the Cd-S – Cd-Te pseudobinary system. Japanese Journal of Applied Physics, vol. 12(8), 1198–1204. doi: 10.1143/JJAP.12.1198.
dc.relation.references17. Sowa H. (2005). On the mechanism of the pressure-induced wurtzite- to (NaCl)-type phase transition in Cd–S: an X-ray diffraction study. Solid State Sciences, vol. 7, 73–78. doi. org/10.1016/j. solidstatesciences.2004.10.011.
dc.relation.references18. Mariano A. N., Warekois E. P. (1963) High pressure phases of some compounds of groups II–VI. Science, vol. 142, 672–673. doi: 10.1126/science.142.3593.672.
dc.relation.references19. Kulakov M. P., Balyakina I. V., Kolesnikov N. N. (1989). Phase diagram and crystallization in the system Cd-Se – Zn-Se. Inorganic Materials, vol. 25(10), 1386–1389.
dc.relation.references20. Sowa H. (2005). The high-pressure behaviuor of Cd-Se up to 3 GPa and the orientation relations between its wurtzite- and NaCl-type modifications. Solid State Sciences, vol. 7, 1384–1489. doi. org/10.1016/j. solidstatesciences.2005.09.003.
dc.relation.references21. Холлэнд Л. (1963). Нанесение тонких пленок в вакууме / пер. с англ. Н. В. Васильченко. Москва- Ленинград: Госэнергоиздат.
dc.relation.references22. Чопра К. Л. (1972). Электрические явления в тонких пленках / пер. с англ. [под ред. Т. Д. Шермергора]. Москва: Мир.
dc.relation.references23. Елинсон М. И., Смолко Г. Г. (1977). Технология тонких пленок: справочник: в 2 т.: М.: Мир.
dc.relation.references24. Чопра К. (1986). Тонкопленочные солнечные элементы. Москва: Мир.
dc.relation.references25. Gnatenko Yu. P., Bukivskij P. M., & Ivashchenko M. M. (2014). Photoluminescence of high optical quality CdSe thin films deposited by closespaced vacuum sublimation. Journal of Luminescence, Vol. 146, 174–177. doi. org/10.1016/j.jlumin.2013.09.070.
dc.relation.references26. Lahewil A. S. Z., Al-Douri Y., & Ahmed N. M. (2013). Structural, analysis and optical studies of cadmium sulfide nanostructured. Procedia Engineering, vol. 53, 217–224. doi. org/10.1016/j. proeng.2013.02.029.
dc.relation.references27. Islam M. A., Hossain M. S., & Amin N. (2013). Comparison of structural and optical properties of CdS thin films grown by CSVT, CBD and Sputtering techniques. Energy Procedi, vol. 33, 203–213. doi. org/10.1016/j. egypro.2013.05.059.
dc.relation.references28. Gopakumar N., Anjana P. S., Pillai P. K.V. (2010). Chemical bath deposition and characterization of CdSe thin films for optoelectronic applications. Journal of Materials Science, vol. 45, 6653–6656. doi: 10.1007/s10853-010-4756-1.
dc.relation.references29. Старіков В. В., Іващенко М. М., & Пере- вертайло B. Л. (2009). Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок CdSe отриманих методом квазізамкненого об’єму. Журнал нано- і електронної фізики, Т. 1, №4, 100–109.
dc.relation.referencesen1. Calderón C. (2003). Optical characterization of Cd (Sx, Te1-x) thin films deposited by evaporation. Superficies y Vacio. Vol. 16, No. 3, 30–33.
dc.relation.referencesen2. Beliaev A. P., Rubets V. P., & Kalinkin I. P. (2003). Vliianie rezko neravnovesnykh uslovii na stekhiometriiu sostava sloia tellurida kadmiia, kondensiruemoho iz parovoi fazy. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, V. 37, Iss. 6, 641–643.
dc.relation.referencesen3. Maissel L., Hlenh R. (1977). Tekhnolohiia tonkikh plenok (spravochnik), transl. from English pod. red. M. I. Elinsona, H. H. Smolko. M. Sov. radio V.1.
dc.relation.referencesen4. Sluchinskaia I. A. (2002). Osnovy materialo- vedeniia i tekhnolohii poluprovodnikov. Moskva. Mifi.
dc.relation.referencesen5. Kumar V., Khan K. L. A., & Hussaine M. (2007). ZnSe sintered films: growth and characterization. Applied Surface Science, Vol. 25, No. 3, Issue 7,3543-3546. doi. org/10.1016/j. apsusc.2006.07.066.
dc.relation.referencesen6. Pouzet J., Bernede J. C., & Benhida S. (1992). Preparation and characterization of tungsten diselenide thin films. Thin Solid Films, 208, 252-259. doi. org/10.1016/0040-6090(92)90652-R.
dc.relation.referencesen7. Mitzithra C., Hamilakis S., & Loizos Z. (2012). CdSe semiconducting layers produced by pulse electrolysis. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, Vol. 46 (5), 633–636. doi: 10.1134/S1063782612050168.
dc.relation.referencesen8. Sasikala G., Thilakan P., Subramanian C. (2000). Modification in the chemical bath deposition apparatus, growth and characterization of CdS semiconducting thin films for photovoltaic applications. Solar Energy Materials & Solar Cells, 62, 275–293. doi. org/10.1016/S0927-0248(99)00170-1.
dc.relation.referencesen9. Ravichandran K., Philominathan P. (2008). Investigations on microstructural and optical properties of CdS films fabricated by a low-cost, simplified spray technique using perfume atomizer for solar cell applications. Solar Energy, Vol. 82, 1062–1066. doi. org/10.1016/j. solener.2008.04.012.
dc.relation.referencesen10. Catalano A. (1996). Polycrystalline thin-film technologies: Status and prospects. Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.41-42, 205-217. doi. org/10.1016/0927-0248(95)00144-1.
dc.relation.referencesen11. Oladeji I. O., Chow L. (1997). Optimization of chemical bath deposited cadmium sulfide thin films. J. Electrochem. Soc, Vol. 144, No. 7, 2342–2346. doi. org/10.1016/j. matlet.2017.05.117.
dc.relation.referencesen12. Ugai Ya. A., Semenov V. N., & Shamsheeva Y. L. (1988). Reactions between cadmium salts and thiourea in the preparation of cadmium sulfide films. Zh. Prikl. Khim. (Leningrad), no. 11, 2409–2414.
dc.relation.referencesen13. Palatnik L. S. (1978). Materialovedenie v mikroelektronike. M., Enerhiia.
dc.relation.referencesen14. Liakishev N. P. (1996). Diahrammy sostoianiia dvoinykh metallicheskikh sistem: spravochnik: v 3 t. V. 1, by gen. ed. N. P. Liakisheva. M., Mashinostroenie.
dc.relation.referencesen15. Susa K., Kobayashi T., Taniguchi S. (1980) High-pressure synthesis of rock-salt type Cd–S using metal sulfide additives. Journal of Solid State Chemistry, vol. 33(2), 197–202. doi. org/10.1016/0022-4596(80)90120-6.
dc.relation.referencesen16. Ohata K., Saraie J., Tanaka T. (1973). Phase diagram of the Cd-S – Cd-Te pseudobinary system. Japanese Journal of Applied Physics, vol. 12(8), 1198–1204. doi: 10.1143/JJAP.12.1198.
dc.relation.referencesen17. Sowa H. (2005). On the mechanism of the pressure-induced wurtzite- to (NaCl)-type phase transition in Cd–S: an X-ray diffraction study. Solid State Sciences, vol. 7, 73–78. doi. org/10.1016/j. solidstatesciences.2004.10.011.
dc.relation.referencesen18. Mariano A. N., Warekois E. P. (1963) High pressure phases of some compounds of groups II–VI. Science, vol. 142, 672–673. doi: 10.1126/science.142.3593.672.
dc.relation.referencesen19. Kulakov M. P., Balyakina I. V., Kolesnikov N. N. (1989). Phase diagram and crystallization in the system Cd-Se – Zn-Se. Inorganic Materials, vol. 25(10), 1386–1389.
dc.relation.referencesen20. Sowa H. (2005). The high-pressure behaviuor of Cd-Se up to 3 GPa and the orientation relations between its wurtzite- and NaCl-type modifications. Solid State Sciences, vol. 7, 1384–1489. doi. org/10.1016/j. solidstatesciences.2005.09.003.
dc.relation.referencesen21. Khollend L. (1963). Nanesenie tonkikh plenok v vakuume, transl. from English N. V. Vasilchenko. Moskva- Leninhrad: Hosenerhoizdat.
dc.relation.referencesen22. Chopra K. L. (1972). Elektricheskie iavleniia v tonkikh plenkakh, transl. from English [ed. T. D. Shermerhora]. Moskva: Mir.
dc.relation.referencesen23. Elinson M. I., Smolko H. H. (1977). Tekhnolohiia tonkikh plenok: spravochnik: v 2 t., M., Mir.
dc.relation.referencesen24. Chopra K. (1986). Tonkoplenochnye solnechnye elementy. Moskva: Mir.
dc.relation.referencesen25. Gnatenko Yu. P., Bukivskij P. M., & Ivashchenko M. M. (2014). Photoluminescence of high optical quality CdSe thin films deposited by closespaced vacuum sublimation. Journal of Luminescence, Vol. 146, 174–177. doi. org/10.1016/j.jlumin.2013.09.070.
dc.relation.referencesen26. Lahewil A. S. Z., Al-Douri Y., & Ahmed N. M. (2013). Structural, analysis and optical studies of cadmium sulfide nanostructured. Procedia Engineering, vol. 53, 217–224. doi. org/10.1016/j. proeng.2013.02.029.
dc.relation.referencesen27. Islam M. A., Hossain M. S., & Amin N. (2013). Comparison of structural and optical properties of CdS thin films grown by CSVT, CBD and Sputtering techniques. Energy Procedi, vol. 33, 203–213. doi. org/10.1016/j. egypro.2013.05.059.
dc.relation.referencesen28. Gopakumar N., Anjana P. S., Pillai P. K.V. (2010). Chemical bath deposition and characterization of CdSe thin films for optoelectronic applications. Journal of Materials Science, vol. 45, 6653–6656. doi: 10.1007/s10853-010-4756-1.
dc.relation.referencesen29. Starikov V. V., Ivashchenko M. M., & Pere- vertailo B. L. (2009). Morfolohiia poverkhni ta optychni vlastyvosti plivok CdSe otrymanykh metodom kvazizamknenoho obiemu. Zhurnal nano- i elektronnoi fizyky, V. 1, No 4, 100–109.
dc.subjectкадмій сульфід
dc.subjectкадмій селенід
dc.subjectтонкі плівки
dc.subjectхімічне поверхневе осадження
dc.subjectcadmium sulfide
dc.subjectcadmium selenide
dc.subjectthin films
dc.subjectchemical surface deposition
dc.titleСпособи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд
dc.title.alternativeMethods of obtaining of CDS and CDSe films and heterostructures on their basis. Review
dc.typeArticle

Files

Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
No Thumbnail Available
Name:
2019v2n1_Guminilovych_R_R-Methods_of_obtaining_1-9.pdf
Size:
992.55 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
No Thumbnail Available
Name:
2019v2n1_Guminilovych_R_R-Methods_of_obtaining_1-9__COVER.png
Size:
387.2 KB
Format:
Portable Network Graphics
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.14 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Chemistry, Technology and Application of Substances. – 2019. – Vol. 2, No. 1