Surface Modification of Gallium Arsenide by Electrochemical Methods in Different Electrolyte Compositions

Abstract

Висвітлено дослідження модифікації поверхні n-GaAs методом електрохімічного травлення в різних композиціях електролітів. Досліджено можливість формування різних типів мікроморфології на ідентичних зразках GaAs, зокрема формування кристалографічних, дефектно-дислокаційних та ізотопних інтерфейсів.We present the study of the n-GaAs surface modification by the electrochemical etching in different electrolyte compositions. The possibility of forming the different micromorphology types on the identical GaAs samples, in particular the possibility of forming the crystallographic, defective-dislocation, and isotope interfaces, was investigated.