Домішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритів

Simple item page
dc.contributor.authorКачан, С. І.
dc.contributor.authorПірко, І. Б.
dc.contributor.authorСалапак, В. М.
dc.contributor.authorЧорній, З. П.
dc.contributor.authorДубельт, С. П.
dc.date.accessioned2017-02-08T10:15:59Z
dc.date.available2017-02-08T10:15:59Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractУ межах моделі точково-іонної взаємодії проведені розрахунки енергії зв’язку, термодисоціації та реорієнтації аніонних вакансій у лінійних домішково-вакансійних асоціатах типу (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ і (nD)O2' (де D-домішково-вакансійний диполь, Va+ - аніонна вакансія, Ме+ - іон лужного металу, п=1,2,3...). Показано, що в кристалах легованих флюоритів енергія реорієнтації домішково-вакансійних асоціатів (ДВА) більша за енергію реорієнтації домішково-вакансійних диполів (ДВД) на величину порядку 0,10-0,20 еВ. Термодисоціація ДВА зумовлює виникнення на термограмах струмів термостимульованої деполяризації (ТСД) трьох серій максимумів: з енергією активації (0,75+0,85) еВ і (0,85+1,0) еВ , що викликані термодисоціацією (nD)Va+ і (nD) асоціатів відповідно, та (1,2+1,5) еВ, зумовлених термодисоціацією (nD)Me+ чи (nD)O2' асоціатів. Результати теоретичних розрахунків якісно збігаються з результатами досліджень струмів ТСД в кристалах, легованих лужними металами і киснем. Within the framework of the point-ion interaction model the calculations of energy of connection, thermo-dissociation and ion-vacancy reorientation in linear impurity-vacantion associats type of (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ and (nD)O2 (where D-stands for the impurity- vacantion dipole, Va+-anion vacantion, Me+-alkali-metal-ion, n=l,2,3...) are conducted. Is shown, that in doped fluorides crystals the energy of reorientation of impurity-vacantion associats (1VA) is approximately 0,10-0,20 eV more than the energy of reorientation of impurity-vacantion dipoles (1VD). The thermodissociation (1VA) on the thermograms of the (TSD)-currents causes three maximum serieses with the energy of activation equal (0,75-0,85) eV and (0,85-l,0)eV, wich are caused by thermodissociation of (nD)Va+ and (nD) associats correspondingly, and (1,2+1,5) eV, caused by thermodissociation of (nD)Me+ or (nD)O2' associats. The results of theoretical calculations roughly coincide with the results of research of (TSD)-currents in the crystals, doped by alkali metals and oxygen.uk_UA
dc.identifier.citationКачан С. І. Домішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритів / С. І. Качан, І. Б. Дірко, В. М. Салапак, З. П. Чорній, С. П. Дубельт // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 131–136. – Бібліографія: 14 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35784
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleДомішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритівuk_UA
dc.title.alternativeImpurity-vacantion aggrigates in doped crystals of fluorites
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
22_131-136.pdf
Size:
412.16 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2004. – №513