Моделювання зворотних логічних переходів в кріотронах на основі сквідів
No Thumbnail Available
Files
Date
2008
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Використано математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах на основі двоконтактних СКВІДів. Для моделювання не тільки прямих логічних переходів “0” ® “1”, а також зворотних переходів “1” ® “0”, запропоновано
комбінований спосіб керування логічним станом таких кріотронів. Показано, що переходи “0” ® “1” можна ефективно реалізувати за допомогою керуючих імпульсів магнітного потоку, а переходи “1” ® “0” – імпульсів струму через кріотрон-СКВІД.
Розраховано перехідні характеристики кріотронів під час прямих і зворотних логічних переходів, досліджено вплив параметрів моделі на швидкодію кріотронів та стабільність їх роботи. In the present work, we use a mathematical model of transition processes in Josephson cryotrons based on two-contact SQUIDs. In order to model not only direct logical transitions “0” ® “1”, but also inverse transitions “1” ® “0” in these cryotron-SQUIDs, we have proposed a combined method of controlling their logical state. It has been shown that the transitions “0” ® “1” can effectively be realized by control impulses of magnetic flux, while the transitions “1” ® “0” can be realized by current impulses through the cryotron-SQUID. We
have calculated the transitional characteristics of the direct and inverse logical transitions in the cryotrons and investigated the effect of the variation of the model parameters on the operating speed and stability of the cryotrons.
Description
Keywords
Citation
Тиханський М. В. Моделювання зворотних логічних переходів в кріотронах на основі сквідів / М. В. Тиханський, А. І. Партика // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 619 : Електроніка. – С. 149–156. – Бібліографія: 10 назв.