Browsing by Author "Дружинін, Анатолій"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Berry Phase appearance in deformed indium antimonide and gallium gntimonide whiskers
    (Lviv Politechnic Publishing House, 2019-03-20) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Лях-Кагуй, Наталія; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Liakh-Kaguy, Natalia; Lviv Polytechnic National University
    Вплив деформації на магніторезистивні властивості нитковидних кристалів (віскерсів) з антимоніду індію та антимоніду галію n-типу провідності та із різними домішками поруч із переходом «метал-діелектрик» досліджено у діапазоні температур 4,2–50 K та магнітному полі 0–14 T. Осциляції Шубнікова – Де Гааза в усьому діапазоні індукції магнітного поля показано у деформованих та недеформованих віскерсах. Амплітуда магніторезистивних осциляцій для зразків обох типів зменшується із зростанням температури. Було визначено наявність фази Беррі за низьких температур у віскерсах з антимоніду індію та антимоніду галію, яка демонструє їхній перехід у стан топологічних діелектриків.
  • Thumbnail Image
    Item
    Ohmic contacts to n-type and p-type Gallium Antimonide Whiskers
    (Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Кутраков, Олексій; Лях-Кагуй, Наталія; Чемерис, Дмитро; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Kutrakov, Oleksiy; Liakh-Kaguy, Natalia; Chemerys, Dmytro; Lviv Polytechnic National University
    За допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4,2 К та 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення і одним із найпридатніших методів для створення контактів до ниткоподібних кристалів, вирощених методом газотранспортних реакцій.