Browsing by Author "Лях-Кагуй, Н."

Now showing 1 - 2 of 2

Strain gages based on gallium arsenide whiskers
(Видавництво Львівської політехніки, 2021-04-01) Дружинін, А.; Кутраков, О.; Островський, І.; Лях-Кагуй, Н.; Чемерис, Д.; Druzhinin, A.; Kutrakov, O.; Ostrovskii, I.; Liakh-Kaguy, N.; Chemery, D.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnik National University
Досліджено деформаційні властивості ниткоподібних і стрічкових кристалів GaAs р- та nтипів провідності із різною довжиною (0,3–7 мм) і діаметром (10–40 мкм) у широкому інтервалі температур. Тензорезистори на основі сильнолегованих ниткоподібних кристалів GaAs р-типу провідності мають лінійні деформаційні характеристики і слабку температурну залежність тензочутливості в інтервалі температур від –120 до +350 °С. Температурний коефіцієнт опору (ТКО) незакріплених тензорезисторів досягає +(0,12–0,16)%×град–1, атемпературний коефіцієнт тензочутливості в інтервалі температур –120 +80 °С становить–0,03 % × град–1. Тензорезистори на основі стрічкових кристалів GaAs n-типу провідностівідрізняються великою гнучкістю і високою тензочутливістю. Вони дієздатні до температур+400 °С і можуть використовуватись для вимірювання деформацій на криволінійнихповерхнях за високих температур. ТКО таких незакріплених тензорезисторів становить –0,01 +0,03 %×град–1, а температурний коефіцієнт тензочутливості в інтервалі температур–120 ... +400 °С досягає –0,16 % × град–1.
Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці
(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.