Browsing by Author "Мар'ямова, І. Й."

Now showing 1 - 4 of 4

Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"
Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.
Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.
Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п’єзорезистивних сенсорів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
Досліджувались характеристики ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу, закріплених на пружних елементах з інвару, в широкому діапазоні деформацій ^0-=-±1,26x103 відн. од. і температур 4,2-КЗОО К з різною концентрацією бору: сильно-леговані кристали з металевою провідністю; поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) з металевого боку; поблизу ПМД з діелектричного боку. В НК Si поблизу ПМД при гелієвих температурах спостерігався значний некласичний п’єзоопір. Отримані характеристики НК Si, закріплених на пружних елементах, дозволяють прогнозувати параметри п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, створених на їх основі, для низьких температур. Characteristics of p-type silicon whiskers with different boron doping: heavily doped crystals with metallic conductivity; in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) from the metallic side and in the vicinity of MIT from the insulating side, mounted on the invar spring elements were studied in the wide range of strains ^0-=-±1.26xl03 rel. un. and temperatures 4.2-K300 K. In Si whiskers in the vicinity of MIT the great non-classic piezoresistance at helium temperatures was observed. Obtained characteristics of Si whiskers mounted on the spring elements allowed to forecast the performance of piezoresistive mechanical sensors created on their basis, operating at low temperatures.
П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах
(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
Проведено дослідження п'єзорезистивного ефекту в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу в температурному діапазоні 1,7÷300 К. Досліджувався вплив деформації на питомий опір цих кристалів і енергію активації домішки.Виявлено гігантський п'єзоопір в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу поблизу фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах.Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки і температури. Обговорюється можливість використання гігантського п'єзооопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин.Piezoresistive properties of Si whiskers in 1.7÷300 K temperature range were investigated. The effect of strain on the resistivity and the impurity activation energy of these crystals were studied. The giant piezoresistance was observed in p-type silicon whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature was studied. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors is discussed.