Browsing by Author "Марусенков, А. В."

Now showing 1 - 4 of 4

Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.
Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.
Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.
Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.
Нові підходи та апаратура для real-time дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах.
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Є.; Марусенков, А. В.; Мороз, А. П.
Розглянуто питання створення для дослідження гальваномагнітних сенсорівв процесі їх опромінення в нейтронних реакторах. Новизною роботи є те, що дослвідження параметрів сенсорів проводяться: по-перше, безпосередньо під час їх опромінення (real-time) і, по-друге, при дуже високих рівнях радіаційного випромінювання. Розроблена апаратура була успішно апробована і використана в експерментах з дослідження радіаційної стійкості гальваномагнітних сенсорів Лабораторії магнітних сенсорів (Національного університету "Львівська політехніка")в реакторі ИБР-2 (ОІЯД, Дубна, Росія)у жовтні 2006 року. Present work raises the issues of creating the instrumentation for the investigation of galvanomagnetic sensors during their irradiation in the neutron reactors. The novelty of the work consists in the fact that investigation of the sensors’ parameters was conducted, first, directly during the irradiation (in real time), and, second, under the conditions of very harsh penetrating irradiation (fast neutron fluence above 1018n/cm2). Developed instrumentation has been successfully tested and applied in the experiments on investigation of radiation stability of galvanomagnetic sensors of Magnetic Sensor Laboratory (Lviv Polytechnic National University) in the reactor IBR-2 (JINR, Dubna, Russia) in October 2006.
Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.
Проаналізовані проблеми створення гальваномагнітних 3-D сенсорів, які здатні вимірювати три складові BX, BY, BZ вектора індукції магнітного поля. Такі сенсори передбачають використання структур на основі технології кремнієвих інтегральних схем. Їх проблемою є низька радіаційна та температурна стійкість. Запропоновано нову конструкцію 3-D сенсора, який виготовляється мезатехнологією на тонких плівках напівпровідників групи A3B5, що забезпечує здатність його функціонування в екстремальних умовах експлуатації. Наведений аналіз параметрів експериментальних зразків тонкоплівкових 3-D сенсорів. The problems of galvanomagnetic 3-D sensors development, which provide a possibility of three magnetic field induction components BX, BY, BZ measurements, are analyzed. Such sensors demand the structures on the base of silicon integrated circuits technologies. The problem is low radiation and temperature stability of such structures. New 3-D sensor construction, which is formed on the base of A3B5 semiconductor group thin-film technology, is proposed. Such sensor provides performance ability in extreme conditions. Parameters of 3-D sensor tentative samples are analyzed.