Browsing by Author "Монастирський, Л. С."
Now showing 1 - 5 of 5
- Results Per Page
- Sort Options
Item Високочастотне магнетронне осадження плівок поліаніліну, поліпарафенілену, поліортоамінофенолу(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Монастирський, Л. С.; Турко, Б. І.; Аксіментьєва, О. І.; Ярицька, Л. І.; Ільницький, А. І.Item Вплив адсорбційних поверхневих покрить на властивості наноструктурованого поруватого кремнію(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Монастирський, Л. С.; Парандій, П. П.Item Деградаційні процеси в портованому кремнії(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Монастирський, Л. С.; Аксіментьєва, О. І.; Павлик, М. Р.Item Моделювання часової зміни фотопровідності поруватого кремнію методом скінченних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Монастирський, Л. С.; Соколовський, Б. С.; Павлик, М. Р.Item Перспектива застосування поруватого кремнію під час створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об'єктів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Монастирський, Л. С.; Оленич, І. Б.; Парандій, П. П.Розглянуто можливість застосування поруватого кремнію для створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об’єктів. Зокрема, поруватий кремній може бути перспективний під час формування самознищувальних кремнієвих чіпів для захисту криптографічних ключів, створених на основані флеш-пристроїв. Фоточутливість поруватого кремнію у широкому спектральному діапазоні придатна для створення систем фотоелектричного захисту периметра інформаційних об’єктів. Велика розвиненість поверхні нанокристалічного поруватого кремнію є визначальною для створення дешевих газоадсорб- ційних сенсорів на його основі, зокрема пристроїв, чутливих до вибухонебезпечних, токсичних газів, таких як метан, водень тощо. The possibility of porous silicon devices application in the term of creation of physical and technical information and information objects protection. One of them is to build self- destructed silicon chips, in particular to protect the cryptographic keys that are created on the basis of flash devices. As well as the suitability of the studied object for the creation of photoelectric perimeter protection of information objects. Great advances in surface of nanosized porous silicon is crucial for making cheap gas-adsorption sensors based on it, such devices are sensitive to explosive, toxic gases like methane, hydrogen and others.