Browsing by Author "Убізський, С."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання мікрочіпового лазера з пасивною модуляцією добротності на основі генеруючого середовища YB:YAG
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, О.; Мельник, С.; Убізський, С.; Матковський, А.
    Розглядається мікрочіповий лазер з пасивною модуляцією добротності на основі експериментально отриманих монокристалічних середовищ Yb:YAG. За допомогою числового моделювання процесу імпульсної генерації показано, що використання генеруючого середовища Yb:YAG порівняно з традиційним Nd:YAG, дає змогу отримати більші значення енергії в імпульсі. The passively Q-switched microchip laser on the experimentally obtained crystalline media Yb:YAG is considered. As it is shown by means of the laser action numerical simulation, the usage of the Yb:YAG generating medium using allows to reach higher values of the laser pulse energy in comparison with traditional Nd:YAG one.
  • Thumbnail Image
    Item
    Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Матковський, А.; Сугак, Д.; Убізський, С.; Потера, П.; Сольський, І.; Григорьева, Л.; Міллер, Д.; Панкратов, В.; Сухоцький, А.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут матеріалів НВП “Карат”; Інститут фізики Жешувського університету; Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету; Інститут фізики ПАН
    Досліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.