Browsing by Author "Ostrovskii, Igor"
Now showing 1 - 5 of 5
- Results Per Page
- Sort Options
Item Berry Phase appearance in deformed indium antimonide and gallium gntimonide whiskers(Lviv Politechnic Publishing House, 2019-03-20) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Лях-Кагуй, Наталія; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Liakh-Kaguy, Natalia; Lviv Polytechnic National UniversityВплив деформації на магніторезистивні властивості нитковидних кристалів (віскерсів) з антимоніду індію та антимоніду галію n-типу провідності та із різними домішками поруч із переходом «метал-діелектрик» досліджено у діапазоні температур 4,2–50 K та магнітному полі 0–14 T. Осциляції Шубнікова – Де Гааза в усьому діапазоні індукції магнітного поля показано у деформованих та недеформованих віскерсах. Амплітуда магніторезистивних осциляцій для зразків обох типів зменшується із зростанням температури. Було визначено наявність фази Беррі за низьких температур у віскерсах з антимоніду індію та антимоніду галію, яка демонструє їхній перехід у стан топологічних діелектриків.Item Design of photoelectric convertors on the basis of Si-Ge solid solutions(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Druzhinin, Anatolij; Ostrovskii, Igor; Liakh, Natalia; Lviv Polytechnic National UniversityElectric and photoelectric properties of Si1-xGex (x=0.1) whiskers were investigated. The whiskers were grown by method of chemical transport reactions in closed Si-Ge-Au-Hf-Br system. Concentration of Hf in whiskers is 1,6⋅10-2 3, concentration of Au is 10-3 3. The samples have n-type conductivity; their resistivity ρ changes from 0.5 to 12 Ω⋅cm depending on the whisker diameter. The whisker diameters change from 10 to 80 µm, the whisker length is equal to 0,5÷5 mm. The whiskers were shown to be photosensitive both in photovoltaic and in photoresistive regimes. Photo-e.m.f. value is about 100 mV in the whisker with small diameter (d=20 µm) and it decreases at a rise of the whisker diameters from 20 to 80 µm. Appearance of photo-e.m.f. is caused by existance of Shotki barrier in SiGe-Pt contact to the whiskers. Dimensional effect of the whisker photo-e.m.f. is explained by the dimensional dependence of the whisker resistivity. High values of photo-e.m.f. for Si-Ge whiskers allow their using for photoconvertor design.Item Ohmic contacts to n-type and p-type Gallium Antimonide Whiskers(Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Кутраков, Олексій; Лях-Кагуй, Наталія; Чемерис, Дмитро; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Kutrakov, Oleksiy; Liakh-Kaguy, Natalia; Chemerys, Dmytro; Lviv Polytechnic National UniversityЗа допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4,2 К та 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення і одним із найпридатніших методів для створення контактів до ниткоподібних кристалів, вирощених методом газотранспортних реакцій.Item One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Kogut, Iurii; Nichkalo, StepanThe review of modern semiconductor thermoelectric materials development and methods of their thermoelectric efficiency enhancement has been conducted. Prospects of practical use of silicon and Si1-xGex solid solutions whiskers and nanowires in thermoelectrics have been estimated.Item Si wires for strain sensor application(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Palewski, Tomasz; Nichkalo, Stepan; Koretskyy, Roman; Berezhanskii, YevgenResistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity.