Закономірності процесу хімічного осадження тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів для фоточутливих елементів

Abstract

У магістерській кваліфікаційній роботі досліджено закономірності процесу хімічного осадження тонких плівок сульфіду та селеніду кадмію, а також плівок твердого розчину кадмій сульфіду-селеніду для фоточутливих елементів. Для одержаних плівок досліджено їх структурні, оптичні та морфологічні властивості. На основі експериментальних даних запропоновано одержання тонких плівок CdSxSe1-x з можливістю регулювання ширини забороненої зони. Магістерська кваліфікаційна робота містить огляд процесу хімічного осадження з економічної точки зору. Загальний обсяг магістерської кваліфікаційної роботи складає 69 сторінок, у яких міститься 21 рисунок, 12 таблиць. Список використаної літератури включає 52 пункти.

In the master's qualification work, the regularities of the process of chemical deposition of thin films of cadmium sulfide, cadmium selenide and solid solution films of cadmium sulfide-selenide for photosensitive elements, were investigated. For the obtained films, their structural, optical and morphological properties were investigated. Based on experimental data, the preparation of thin films of CdSxSe1-x with the possibility of regulating the width of the forbidden band was proposed. The master's qualification thesis includes a review of the investigated process from an economic perspective. The volume of the work is 69 pages, 21 figures, 12 tables. There are 52 positions on the references list.