Browsing by Author "Гончар, Ф. М."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Міграційна рівновага адсорбованих плівок гадолінію на вольфрамі в сильному електричному полі
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Гончар, Ф. М.; Андрейко, А. М.; Білинський, Ю. М.
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптимізація технологічного процесу вирощування полікристалічних структур селеніду цинку
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Андрейко, А. М.; Білинський, Ю. М.; Гончар, Ф. М.; Захар’яш, О. С.
    Здійснена оптимізація процесу вирощування полікристалічних шарів селеніду цинку дала змогу забезпечити ефективне і відтворювальне одержання вказаних шарів з показниками коефіцієнта поглинання на рівні 0,1–0,15 м-1, що дає можливість значно покращити характеристики існуючих на сьогодні вітчизняних оптичних елементів для ІЧ-області спектра. Optimazation of growing process of polycristalic layers of zinc selenide allowed to provide effective and reproductive recipiency of stated layers with absorption coefficient indexes on level 0,1 - 0,15 m -1, that gives a possibility considerably to improve descriptions of home optical elements being on today for Іnfra-Red - spectrum domains.
  • Thumbnail Image
    Item
    Структура та деякі електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Андрейко, А. М.; Білинський, Ю. М.; Гончар, Ф. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Було винайдено аморфні та кристалічні плівки HgSe завтовшки 1000 А. У кристалічному зразку визначити ширину забороненої зони 0.2 eV, концентрацію і рухливість носіїв. В аморфних зразках визначити ширину забороненої зони 1 ev. При температурі рідкого азоту зразки володіють лише р-провідністю, тоді як при температурах, вищих від температури рідкого азоту – лише n-провідністю. Структуру аморфного HgSe вивчали електронографічно, і було показано, що координаційне число не змінюється з переходом з аморфного в кристалічний стан. В аморфних зразках було також визначено середньоквадратичне зміщення атомів.