Browsing by Author "Гумен, І. С."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.
    Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання складу газової фази системи InAs-Sb-HCL для визначення оптимальних умов вирощування мікрокристалів твердого розчину InAsixSbx
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Гумен, І. С.; Копцев, П. С.; Кость, Я. Я.
    Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів твердого розчину InAsixSbx. Визначено якісну залежність складу газової фази від технологічних параметрів. Отримані мікрокристали твердого розчину InAsixSbx, експериментальна перевірка підтвердила адекватність моделі. The model of the gas phase for the InAsixSbx solid solution microcrystal growth was presented. The qualitative dependence of the gas phase proportion upon the technological parameters is determined. The microcrystals of the InAsi.xSbx solid solution were obtained and the experimental testing confirmed model adequacy.