Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas

Abstract

Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation.