Browsing by Author "Гуменюк, І. А."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Гуменюк, І. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тампль-Буайє, П'єр; Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гуменюк, І. А.
    Розроблено та експериментально досліджено характеристики іонно-селективних польових транзисторів (1СПТ) з індукованим n-каналом. Функцію підзатворного діелектрика, чутливого до іонів водню, виконує мембрана з оксиду та нітриду кремнію Si02/Si3N4. Для забезпечення селективності до іонів нітрату N03' та амонію NH4+ використано чутливу мембрану на основі роїуНЕМА/сілопрен. Дано рекомендації щодо режимів живлення 1СПТ. Виготовлення та експериментальні дослідження проведені в Лабораторії Аналізу та Архітектур Систем, Тулуза, Франція. Front-side connected, N-channel, normally-off, ion-sensitive field effect transistor (1SFET) microsensors including a SiOi/SijNj pH-sensitive gate have been fabricated using a standard P-well silicon technology. Sensor properties and performances are demonstrated through pH measurements. Finally, the front-side connected ChemFETs microsensors have been adapted to the detection of ions thanks to polyHEMA/siloprene-based ionosensitive membrane. Operating modes of 1SFET sensor have been optimized. Fabrication and characterization of these ion-sensitive structures have been carried out at the Laboratory for Analysis and Architecture of Systems (LAAS, Toulouse, France).