Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
No Thumbnail Available
Date
2002-03-26
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів,
Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів.
Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
The influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.
The influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.
Description
Keywords
Citation
Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19.