Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів

Abstract

Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистораThe influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.